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NXP 恩智浦MRFG35010ANT1 500-5000 MHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs pHEMT - Data Sheet

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NXP 恩智浦MRFG35010ANT1 500-5000 MHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs pHEMT - Data Sheet
MRFG35010ANT1 1 RF Device Data Freescale Semiconductor, Inc. Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed
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