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SFH610A 和 SFH6106 具有高電流傳輸比、低耦合電容和高隔離電壓。這些耦合器具有 GaAs 紅外二極管發(fā)射器，它可與硅平面光電晶體管探測器光學耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封裝。該耦合裝置設計用于在兩個電氣分離的電路之間傳輸信號。耦合器末端可堆疊，間距為 2.54 mm。通過選項 6 和選項 8 實現了 > 8.0 mm 的爬電距離和間隙。

良好的 CTR 線性度取決于正向電流
隔離測試電壓，5300 V 有效值
高集電極發(fā)射極電壓，VCEO = 70 V