射頻晶體管為 LDMOS,適用于范圍為 1 MHz 至 2 GHz 應(yīng)用中的 L 頻段衛(wèi)星上行鏈路和 DMOS 功率晶體管。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 125 V |
| 封裝類型 | M174 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大功率耗散 | 389 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 24.89mm |
| 長度 | 26.67mm |
| 最高工作溫度 | +200 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |