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訂 貨 號(hào):C3M0065100K 品牌:Wolfspeed
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)
在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi),漏-源擊穿電壓最小為 1000 V
新低阻抗封裝,帶驅(qū)動(dòng)器源
漏極與源極之間 8 mm 漏電/間隙
高速切換,具有低輸出電容
高阻塞電壓,帶低漏-源通態(tài)電阻
可耐受雪崩
快速固有二極管,帶低反向恢復(fù)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 35 A |
| 最大漏源電壓 | 1000 V |
| 封裝類(lèi)型 | TO-247 |
| 安裝類(lèi)型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 90 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 113.5 W |
| 最大柵源電壓 | -8 V、+19 V |
| 長(zhǎng)度 | 16.13mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 35 nC @ 15 V,35 nC @ 4 V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 5.21mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |