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產(chǎn)品分類
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MagnaChip MDP11N60TH MOSFET

訂 貨 號：MDP11N60TH      品牌：

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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MagnaChip MDP11N60TH MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

高電壓 (HV) MOSFET

高電壓，N 通道 MOSFET，帶低通態(tài)電阻和高切換性能。

MOSFET 晶體管，MagnaChip


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 11 A
最大漏源電壓 660 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 550 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最大功率耗散 182 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.83mm
典型柵極電荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 10.67mm
暫無

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