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Infineon IRFB3206PBF MOSFET

訂 貨 號(hào):IRFB3206PBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRFB3206PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

電動(dòng)機(jī)控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon

電動(dòng)機(jī)控制 MOSFET

Infineon 為電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用提供全面的強(qiáng)建 N 通道和 P 通道 MOSFET 設(shè)備組合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 設(shè)備的組合,適用于交流-直流電源,支持客戶對(duì)更高功率密度、更小尺寸、更便于攜帶和更靈活的系統(tǒng)的需求。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 210 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 3 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 300 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 120 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 10.67mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
寬度 4.83mm
暫無

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