Infineon 雙柵極低噪聲四極管 MOSFET 射頻晶體管
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 30 mA |
最大漏源電壓 | 12 V |
封裝類型 | SOT-143 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 0.8V |
最大功率耗散 | 200 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -2.5 V、-2 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | Si |
長度 | 2.9mm |
寬度 | 1mm |