DiodesZetex 生產(chǎn)的新一代互補 MOSFET H 電橋,可通過低柵極驅(qū)動實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SO-8 封裝。具有開關(guān)速度快和輸送電容低的特點。工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C。
最大漏極-源極電壓 40 V 最大柵極-源極電壓 ±20 V 2 個 N 溝道和 2 個 P 通道,采用 SOIC 封裝 導(dǎo)通電阻低
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.9 A,4.5 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.1 O,0.058 O |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |