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DiodesZetex 生產(chǎn)的新一代互補(bǔ) MOSFET H 電橋，可通過低柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SO-8 封裝。具有開關(guān)速度快和輸送電容低的特點(diǎn)。工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C。

最大漏極-源極電壓 40 V 最大柵極-源極電壓 ±20 V 2 個(gè) N 溝道和 2 個(gè) P 通道，采用 SOIC 封裝 導(dǎo)通電阻低