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分類：
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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI2365EDS-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 4.7 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT-23 (TO-236)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 67.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 1.7 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 23.8 nC @ 8 V
寬度 1.4mm
長度 3.04mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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