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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IPD90P03P4L04ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IPD90P03P4L04ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon IPD90P03P4L04ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設(shè)計(jì)用于提供增強(qiáng)功能，以滿足高質(zhì)量性能要求。功能包括超低開關(guān)損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過AEC認(rèn)證的汽車解決方案。應(yīng)用包括DC-DC，電機(jī)控制，汽車和eMobility。

增強(qiáng)模式
耐雪崩等級
低切換和傳導(dǎo)功率損耗
無鉛引線電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 90 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 6.8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 137 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -16 V，+5 V
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
長度 6.5mm
典型柵極電荷@Vgs 125 nC @ 10 V
暫無

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