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訂 貨 號(hào):MDS3603URH 品牌:
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態(tài)電阻和快速切換性能。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 14.5 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 38.4 nC @ 10 V |
長度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 4mm |