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STMicroelectronics STB28N60DM2 MOSFET

訂貨號：STB28N60DM2 品牌：Tronics

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改進的二極管反向恢復時間，可提高效率，此系列經(jīng)優(yōu)化可用于全橋相移 ZVS 拓撲。

高 dV/dt 能力，可提高系統(tǒng)可靠性
符合 AEC-Q101

MOSFET 晶體管，STMicroelectronics

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	22 A
最大漏源電壓	650 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	160 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	5V
最小柵閾值電壓	3V
最大功率耗散	190 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
長度	10.4mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+150 °C
寬度	9.35mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	10 V 時，39 常閉

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