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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NDD04N60Z-1G MOSFET

訂 貨 號(hào)：NDD04N60Z-1G      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NDD04N60Z-1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor

MOSFET 晶體管，ON Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.1 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 IPAK (TO-251)
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 2 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
最大功率耗散 83 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 2.38mm
長度 6.73mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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