來自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 適用于要求堅固性和高可靠性的汽車應用。
? 符合 AEC-Q101 標準
? 接點溫度高達 +175°C
? 低導通電阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技術
? 創(chuàng)新型節(jié)省空間封裝選項
AEC-Q101
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PowerPAK 1212 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 135 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 1.5V |
最大功率耗散 | 33 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 3.4mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
長度 | 3.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 8 nC @ 10 V |