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onsemi 2N7002DW MOSFET

訂貨號：2N7002DW 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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增強(qiáng)模式雙 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝設(shè)計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。

2N7002DW 是雙 N 通道通用 MOSFET 。它具有低接通電阻和低門閾值電壓。它還具有快速切換速度，并提供超小型表面安裝封裝。此雙 N 通道 MOSFET 通常用于所有通用應(yīng)用，但通常用于電機(jī)控制和 PMF （電源管理功能）。

特點(diǎn)和優(yōu)勢：

?雙 N 通道
?低接通電阻
?低門閾值
?快速切換速度
?低輸入和輸出泄漏

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	115 mA
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	SOT-363 (SC-70)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	13.5 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	200 mW
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	2
最高工作溫度	+150 °C
長度	2mm
寬度	1.25mm
晶體管材料	Si

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