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Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFET

訂 貨 號:SPD08P06PGBTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能,可能包括增強模式、連續(xù)漏極電流(約低至 80A)及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應用,包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設備以及汽車工業(yè)。

· 符合 AEC Q101 標準(請參閱數(shù)據(jù)表)
· 無鉛引線電鍍,符合 RoHS 標準

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8.83 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 300 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大功率耗散 42 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
長度 6.73mm
暫無

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