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產(chǎn)品分類
分類：
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德州儀器 CSD17578Q3AT MOSFET

訂 貨 號(hào)：CSD17578Q3AT      品牌：

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德州儀器 CSD17578Q3AT MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶體管，Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 14 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 VSCONP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9.4 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 3.5mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 3.5mm
典型柵極電荷@Vgs 7.9 nC @ 4.5 V
暫無

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