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MagnaChip MDD6N60GRH MOSFET

訂 貨 號:MDD6N60GRH      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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MagnaChip MDD6N60GRH MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

高電壓 (HV) MOSFET

高電壓,N 通道 MOSFET,帶低通態(tài)電阻和高切換性能。

MOSFET 晶體管,MagnaChip


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.5 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 1.45 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最大功率耗散 73 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 6.73mm
典型柵極電荷@Vgs 15.3 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 6.22mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無

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