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產(chǎn)品分類

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onsemi RFD14N05L MOSFET

訂 貨 號(hào):RFD14N05L      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi RFD14N05L MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

增強(qiáng)模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 14 A
最大漏源電壓 50 V
封裝類型 IPAK (TO-251)
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 100 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 48 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -10 V、+10 V
長(zhǎng)度 6.8mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 5 V,40 nC @ 10 V
寬度 2.5mm
晶體管材料 Si
暫無

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