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Infineon MOSFET

Infineon PG-to-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新時代的產(chǎn)品、在 10V 柵源電壓下具有 6.8 毫歐的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 100V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 6V 和 10V 。它經(jīng)過優(yōu)化、可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。

特點和優(yōu)勢

?易于設(shè)計產(chǎn)品
? 環(huán)保
?出色的柵極充電 x R DS （開）產(chǎn)品（ FOM ）
?出色的交換性能
? 無鹵素
?最高功率密度
?適用于高頻切換和同步整流
? 效率提高
?無鉛 (Pb) 電鍍
?需要的并聯(lián)更少
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?最小的板空間消耗
? Qg 和 Qgd 非常低
?全球最低 RDS （接通）

應(yīng)用

? D 類音頻放大器
?隔離直流到直流轉(zhuǎn)換器（電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)）
? 48V - 80V 系統(tǒng)的電機控制（家用車輛、電動工具、卡車）
? 48V 系統(tǒng)中的 O 形圈開關(guān)和斷路器
?同步整流器

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC