屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | SP-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.045 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 0.6V |
最小柵閾值電壓 | 0.6V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
寬度 | 4mm |