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德州儀器 CSD25304W1015T MOSFET

訂 貨 號：CSD25304W1015T      品牌：

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德州儀器 CSD25304W1015T MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶體管，Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 3 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 DSBGA
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 92 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.15V
最小柵閾值電壓 0.55V
最大功率耗散 750 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
寬度 1.5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V
晶體管材料 Si
長度 1mm
暫無

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