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產(chǎn)品分類

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+比較

Vishay SI1012CR-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SI1012CR-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SI1012CR-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 630 mA
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT-416 (SC-75A)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 1.1 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 240 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
典型柵極電荷@Vgs 1.3 nC @ 8 V
長(zhǎng)度 1.68mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 0.86mm
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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