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Infineon IRFI4229PBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRFI4229PBF      品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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Infineon IRFI4229PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 19 A
最大漏源電壓 250 V
封裝類型 TO-220FP
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 46 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 46 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 73 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 10.63mm
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.83mm
晶體管材料 Si
暫無(wú)

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