Vishay n 溝道 100 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak so-8 封裝類型。
trench場 效應第四代功率 mosfet
極低 rds x qg 品質因數（ fom ）
調諧至最低 rds x qoss fom
經過 100% rg 和 uis 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 67.5 a |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | Powerpak so-8 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0069 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 1 → 2.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
