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Infineon IPB65R190C7ATMA2 MOSFET

訂貨號(hào)：IPB65R190C7ATMA2 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon IPB65R190C7ATMA2 MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 設(shè)計(jì)是一項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù)、符合超級(jí)連接（ sj ）原理、由 Infineon 技術(shù)開(kāi)創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和高級(jí)創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項(xiàng)技術(shù)。

符合 aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	31.2 A
最大漏源電壓	650 V
封裝類(lèi)型	Pg 至 263
安裝類(lèi)型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	0.11. Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4.5V
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	硅

暫無(wú)

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