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產(chǎn)品分類(lèi)

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威世硅尼克斯 SQJ504EP-T1_GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SQJ504EP-T1_GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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威世硅尼克斯 SQJ504EP-T1_GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

TrenchFET? power MOSFET


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 30(N 通道)A、30(P 通道)A
最大漏源電壓 40 V
封裝類(lèi)型 SO-8
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 30 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 34 w 、 34 w
最大柵源電壓 ±20 V
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 5.99mm
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 18(N 通道)nC @ 10 V、56(P 通道)nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 5mm
暫無(wú)

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