STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 設(shè)備是使用 ST 的 Advanced 和創(chuàng)新的第 2 代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該設(shè)備的單位面積具有極低的接通電阻和非常好的切換性能。切換損耗的變化幾乎與接點溫度無關(guān)。
非常快速且堅固的本征主體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
非常高的工作接點溫度能力 (TJ = 200 °C)
源感應(yīng)引腳,用于提高效率
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 91 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | HiP247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.03% Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.9V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |