STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 設備是使用 ST 的 Advanced 和創新的第 2 代 SiC MOSFET 技術開發而成。該設備的單位面積具有極低的接通電阻和非常好的切換性能。切換損耗的變化幾乎與接點溫度無關。
非常快速且堅固的本征主體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
非常高的工作接點溫度能力 (TJ = 200 °C)
源感應引腳，用于提高效率
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 91 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.03% Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
