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Vishay SIHB053N60E-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHB053N60E-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Vishay SIHB053N60E-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay Siliconix 維護半導體技術的可靠性數據,封裝可靠性代表所有合格位置的復合。

第 4 代 E 系列技術
低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))
減少切換和傳導損耗
雪崩能量等級 (UIS)


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 47 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.054 Ω
最大柵閾值電壓 5V
暫無

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