汽車 40V N 和 P 通道共排 MOSFET 對和 200V N 通道 MOSFET 。
優化的三芯片封裝
TrenchFET? 功率 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 20 （通道 3 ） A ， 30 （通道 1 ） A ， 30 （通道 2 ） A |
| 最大漏源電壓 | 200 （通道 3 ） V ， 40 （通道 1 ） V ， 40 （通道 2 ） V |
| 封裝類型 | 三死 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 10 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0135 （ Ω 2 ） μ a 、 0.048 （ Ω 1 ） μ a 、 0.06 （通道 3 ） Ω μ a |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V |
| 最大功率耗散 | 48 w 、 48 w 、 60 w |
| 晶體管配置 | 共漏極 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14nc @ 100v （通道 3 ）， 23nc @ 20V （通道 2 ）， 30.2nc @ 20V （通道 1 ） |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
