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分類：
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Vishay SIA449DJ-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIA449DJ-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

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公司基本資料信息







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Vishay SIA449DJ-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen III，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 10.4 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-363 (SC-70)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 38 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.6V
最大功率耗散 19 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 2.15mm
典型柵極電荷@Vgs 48 nC @ 10 V
長度 2.15mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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