Infineon 600V coolmos ? C7 超結（ sj ） mosfet 系列的關閉損耗（ e oss ）比 coolmos ? cp 減少 ～50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結構中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。
可提高切換頻率、而不會降低效率
測量顯示輕負載和滿負載效率的關鍵參數
將切換頻率加倍將使磁性元件的尺寸減半
適用于相同 r ds （ on ）的較小封裝
可用于更多位置、用于硬切換和軟切換拓撲
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 13 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 180 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
