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產(chǎn)品分類

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Infineon IPD60R180C7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD60R180C7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Infineon IPD60R180C7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 600V coolmos ? C7 超結(jié)( sj ) mosfet 系列的關(guān)閉損耗( e oss )比 coolmos ? cp 減少 ~50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設(shè)計的完美匹配。

可提高切換頻率、而不會降低效率
測量顯示輕負(fù)載和滿負(fù)載效率的關(guān)鍵參數(shù)
將切換頻率加倍將使磁性元件的尺寸減半
適用于相同 r ds ( on )的較小封裝
可用于更多位置、用于硬切換和軟切換拓?fù)?


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 13 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 180 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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