DiodesZetex n 通道增強模式 mosfet 設計用于有效減少通態(tài)電阻( rds (接通)
額定溫度值為 +175°c 、特別適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
出色的 qgd ′rds (接通)產品
低 rds (接通)可確保通態(tài)損耗最小化
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 52.4 a |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | PowerDI3333 - 8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.008 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | 塑料 |