此新一代 MOSFET 設(shè)計旨在最大程度減少通態(tài)電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。
低接通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
ESD 保護(hù)
完全無鉛
無鹵素和無銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
背光
電源管理功能
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.8(狀態(tài))A,4.7(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | X2-DFN2015 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 160 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 0.3V |
最大功率耗散 | 1.49 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±8 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 6.8 nC @ 4.5V |
長度 | 2.07mm |
寬度 | 1.57mm |