Infineon mos ? P7 系列的設計為 950V 超級連接技術設定了新的基準，它將杰出的性能與最先進的易用性結合在一起，這是由英飛凌 18 年來領先的超級連接技術創新所產生的。
完全優化的產品組合
杰出的 cool mos ?品質和
集成齊納二極管 esd 保護
同類杰出的 fom rds （接通） * eoss
減少了 qg 、 ciss 和 coss
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 17 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | Pg 至 220 fullpak - 窄引線 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.28. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
