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英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道邏輯電平功率 MOSFET 具有 100 V 漏源電壓（VDS）和 44 A 漏電流（ID）。邏輯電平的功率 MOSFET 非常適用于充電、適配器和電信應(yīng)用。設(shè)備的低柵極充電可減少切換損耗，不會(huì)影響傳導(dǎo)損耗。邏輯電平 MOSFET 允許在高切換頻率下操作，由于柵極閾值電壓低，可直接從微控制器驅(qū)動(dòng)。

經(jīng)優(yōu)化，適合高性能 SMPS（例如，同步錄音）
100% 通過雪崩測(cè)試
卓越的熱阻
N 溝道，邏輯電平
無鉛引線鍍層
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 無鹵素