on ON Semiconductor 系列 n 溝道 150V mosfet 針對回飛轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化、憑借其優(yōu)化的設(shè)計(jì)、可在不影響 emi 性能的情況下降低切換損耗和外殼溫度。特別定制以最大程度減少通態(tài)電阻、同時保持卓越的切換性能。
連續(xù)漏極電流額定值為 50A
漏極到電源接通電阻額定值為 15mohm
屏蔽柵極 mosfet 技術(shù)
低電容、可最大程度減少驅(qū)動器損耗
優(yōu)化的柵極電荷可最大程度減少切換損耗
無鉛、無鹵素 /bfr 且符合 rohs 標(biāo)準(zhǔn)
封裝類型為 dak
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 50 A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | DPAK |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 15 MΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |