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訂 貨 號(hào):DMP6050SPS-13 品牌:Diodes
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
此新一代 60V P 通道增強(qiáng)模式 MOSFET 設(shè)計(jì)旨在最大程度減少 RDS(接通)損耗并但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
高熱效率封裝 – 應(yīng)用工作溫度更低
高轉(zhuǎn)換率
低 RDS(接通)- 可最大程度減少通態(tài)損耗
低輸入電容
快速切換速度
<1.1mm 封裝型 - 特別適用于薄應(yīng)用
無(wú)鉛表面
無(wú)鹵素和無(wú)銻?!熬G色”設(shè)備
應(yīng)用
筆記本電腦電池電源管理
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
負(fù)載開(kāi)關(guān)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.5(狀態(tài))A,5.7(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PowerDI5060 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 70 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2.4 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 30 nC @ 10V |
寬度 | 5.1mm |
長(zhǎng)度 | 6mm |
最高工作溫度 | +150 °C |