STMicroelectronics SCTH35N65G2V 、 55 mΩ s5-7 st功率 sic mosfet 、帶具有相同額定電壓和同等通態電阻的溝道場停止（ tfs ）的柵格式（柵格）。即使在高溫下、 st功率 sic mosfet 仍可顯著降低開關損耗。這使設計人員可以在極高的切換頻率下工作、減少無源元件的尺寸、適用于較小的形狀規格。
極低的切換損耗
高溫下具有低功率損耗
更高的工作溫度（高達 200 ?c ）
主體二極管、無恢復損耗
易于驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 45 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | HiP247 - 4LL |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.07. Ω |
| 晶體管材料 | SiC |
