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SiC MOSFET

STMicroelectronics SCTH35N65G2V 、 55 mΩ s5-7 st功率 sic mosfet 、帶具有相同額定電壓和同等通態(tài)電阻的溝道場(chǎng)停止（ tfs ）的柵格式（柵格）。即使在高溫下、 st功率 sic mosfet 仍可顯著降低開關(guān)損耗。這使設(shè)計(jì)人員可以在極高的切換頻率下工作、減少無(wú)源元件的尺寸、適用于較小的形狀規(guī)格。

極低的切換損耗
高溫下具有低功率損耗
更高的工作溫度（高達(dá) 200 ?c ）
主體二極管、無(wú)恢復(fù)損耗
易于驅(qū)動(dòng)