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產(chǎn)品分類

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+比較

Vishay SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SI3493BDV-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay 半導(dǎo)體 SI3493BDV-T1-GE3 是 6 引腳, 20 V , 8 A ,表面安裝 P 通道 MOSFET ,通常用于負(fù)載, PA 和電池開關(guān)。

無鹵,符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
PWM 優(yōu)化
通過 100 % Rg 測(cè)試
符合 RoHS 指令 2002/95/EC


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TSOP6
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 45 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -0.9V
最小柵閾值電壓 -0.4V
最大功率耗散 2.97 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±8 V
長(zhǎng)度 3.1mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 29 nC @ 10 V
寬度 1.7mm
暫無

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