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Vishay SI3493DDV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI3493DDV-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SI3493DDV-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 6
最大漏源電阻值 51 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 3.6 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
每片芯片元件數目 1
寬度 1.7mm
典型柵極電荷@Vgs 34.8 nC @ -8 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 3.1mm
暫無

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