此 MOSFET 設(shè)計旨在最大程度減少通態(tài)電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。
額定溫度值為 +175°C - 特別適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
低接通電阻
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
無鉛表面
無鹵素和無銻?!熬G色”設(shè)備
應(yīng)用
電動機(jī)控制
背光
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
打印機(jī)設(shè)備
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 35(狀態(tài))A,50(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | TO-252 (DPAK) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 26 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 3.6 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
長度 | 6.7mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 6.2mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 18.7 nC @ 10V |