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產(chǎn)品分類

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東芝 TK4R3E06PL MOSFET

訂 貨 號(hào):TK4R3E06PL      品牌:東芝_Toshiba

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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東芝 TK4R3E06PL MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

高效直流-直流轉(zhuǎn)換器
開關(guān)穩(wěn)壓器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
高速切換
小柵極電荷:QSW = 15.1 nC(典型值)
小輸出電荷:Qoss = 39 nC(典型值)
低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
增強(qiáng)模式:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 7.2 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 87 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 48.2 nC @ 10 V
長度 10.16mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 15.1mm
暫無

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