DiodesZetex 30V 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 mosfet 設(shè)計用于最大程度降低通態(tài)電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應(yīng)用。其柵 - 源電壓為 20 v 、熱功耗為 0.29 w 。
低輸入電容
快速切換速度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 550 毫安、 800 毫安 |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT-363 |
引腳數(shù)目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 0.7 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.6V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
晶體管材料 | Si |