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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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+比較

Vishay SISS30LDN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SISS30LDN-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SISS30LDN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 80V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 極低功耗 (FOM)
針對(duì)最低的 RDS X QOSS FOM 進(jìn)行了調(diào)整


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 55.5 a.
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PowerPak 1212-S
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 12 MΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 57 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 32.5 常閉 @10 伏
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 3.3mm
寬度 3.3mm
暫無(wú)

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