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STMicroelectronics 高電壓 n 溝道功率 mosfet 是 mesh DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與之前的 mesh 快速生成相比、 DM6 結合了極低的恢復電荷（ qrr ）、恢復時間（ trr ）和每個區(qū)域的 rds （接通）極佳改進、具有市場上最有效的切換行為之一、適用于最嚴苛的高效橋接拓撲和 zvs 相移轉(zhuǎn)換器。

設計用于汽車應用
快速恢復體二極管
與上一代相比、每區(qū)域的 rds （接通）更低
低柵極電荷、輸入電容和電阻
通過 100% 雪崩測試
dv/dt 穩(wěn)定極高
得益于額外的驅(qū)動源引腳、具有極佳的切換性能
提供齊納保護