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此單 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設(shè)計(jì)，可優(yōu)化特殊 MicroFET 導(dǎo)線框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。

RDS (on) =30m Ω @VGS =4.5 V ，識(shí)別號(hào) =5.7A
RDS (on) =40 M Ω @VGS =2.5 V ， ID =5.0A
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封裝 MicroFET 2x2mm
HBM ESD 保護(hù)級(jí)別 2.5K V （典型）（注釋 3 ）
無(wú)鹵化合物和銻氧化物
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。