此新一代 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應用。
低接通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
ESD 保護
完全無鉛
無鹵素和無銻?!熬G色”設備
應用
負載開關
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 325(狀態)mA,407(穩定)mA |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | X1-DFN1006 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 3 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 0.6V |
最大功率耗散 | 500 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數目 | 1 |
寬度 | 0.67mm |
長度 | 1.07mm |
典型柵極電荷@Vgs | 0.45 nC @ 4.5V |