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訂 貨 號:NTTFS6H850NTAG 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
商用功率 MOSFET 采用 3x3 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。
特點(diǎn)
低接通電阻
低柵極電荷
體積小巧 (3 x 3 mm)
優(yōu)點(diǎn)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少切換損耗
緊湊設(shè)計(jì)
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
同步整流
最終產(chǎn)品
電動(dòng)機(jī)控制
電池管理
開關(guān)電源
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 68 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | WDFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 9.5 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 107 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 3.15mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
長度 | 3.15mm |
最高工作溫度 | +175 °C |