Vishay SISS50DN od-s1-d3 T1 mosfet 是 GE3 ( 45V ) mosfet 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
在緊湊型熱增強封裝中實現(xiàn)極低的 RDS(on)
經(jīng)優(yōu)化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了與切換相關的功耗
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 108 A |
最大漏源電壓 | 45 V |
封裝類型 | Powerpak 1212-1e 8S |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0041 Ω 、 0.00283 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.3V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |